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SKIIP83ANB08

更新时间： 2024-11-18 00:04:23
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MiniSKiiP 8  
SKiiP 83 AHB 08  
SEMIKRON integrated  
intelligent Power  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions 1)  
Bridge Rectifier  
VRRM  
Values  
Units  
SKiiP 83 AHB 08  
800  
75  
1000  
5000  
V
A
A
half controlled  
3-phase bridge rectifier +  
IGBT braking chopper  
ID  
IFSM/ITSM tp = 10 ms; sin. 180 °C, Tj = 25 °C  
I²t tp = 10 ms; sin. 180 °C, Tj = 25 °C  
Theatsink = 80 °C  
A²s  
IGBT Chopper  
VCES  
VGES  
IC  
600  
± 20  
50 / 35  
100 / 70  
V
V
A
A
Case M8a  
Theatsink = 25 / 80 °C  
tp < 1 ms; Theatsink = 25 / 80 °C  
ICM  
Freewheeling Diode 2)  
VRRM  
IF  
IFM  
600  
57 / 38  
114 / 76  
V
A
A
Theatsink = 25 / 80 °C  
tp < 1 ms; Theatsink = 25 / 80 °C  
Tj  
Tj  
Tstg  
Visol  
Diode & IGBT  
Thyristor  
– 40 ... + 150  
– 40 ... + 125  
– 40 ... + 125  
2500  
°C  
°C  
°C  
V
AC, 1 min.  
Characteristics  
Symbol Conditions 1)  
Diode - Rectifier  
min.  
typ.  
max.  
Units  
VF  
VTO  
rT  
IF = 75 A  
Tj = 125 °C  
–
–
–
–
1,15  
0,8  
4,5  
–
–
–
–
V
V
mΩ  
K/W  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
per diode  
Rthjh  
1,0  
UL recognized file no. E63532  
Thyristor - Rectifier  
VT IF = 120 A Tj = 25 °C  
VT (TO) Tj = 125 °C  
• specification of temperature  
sensor see part A  
• common characteristics see  
page B 16 – 3  
–
–
–
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
250  
600  
–
1,8  
1,1  
5
0,9  
–
3
150  
–
V
V
rT  
Rthjh  
IGD  
Tj = 125 °C  
per thyristor  
Tj = 125 °C  
mΩ  
K/W  
mA  
V
mA  
mA  
mA  
V/µs  
A/µs  
VGT  
IGT  
IH  
Tj = 25 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Options  
• also available with uncontrolled  
rectifier (called 82 ANB 08)  
• also available with powerful  
chopper, data sheet on request  
• also available with faster IGBTs  
(type ... 063), data sheet on  
request  
IL  
–
–
125  
dv/dtCR  
di/dtCR  
500  
–
–
IGBT - Chopper  
VCEsat  
td(on)  
tr  
IC = 50 A  
Tj = 25 (125) °C  
VCC = 300 V; VGE = ± 15 V  
IC = 50 A; Tj = 125 °C  
–
–
–
–
–
–
–
–
2,1(2,2)  
60  
2,7(2,8)  
120  
160  
500  
830  
–
V
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
nF  
K/W  
80  
td(off)  
tf  
R
gon = Rgoff = 22 Ω  
330  
550  
7,3  
2,8  
–
1)  
T
= 25 °C, unless otherwise  
inductive load  
heatsink  
specified  
Eon + Eoff  
Cies  
Rthjh  
2) CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology (soft and fast recovery)  
VCE = 25 V; VGE = 0 V, 1 MHz  
per IGBT  
–
1,0  
© by SEMIKRON  
0698  
B 16 – 45  
1234567

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与SKIIP83ANB08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKIIP83ANB15T1 SEMIKRON

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 		Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 100A, 1500V V(RRM), Silicon, CASE M8A, MINISKIIP-11
SKIIP912GB120031 SEMIKRON

获取价格

 		Large IGBT Power Packs
SKIIP912GB120-303FT SEMIKRON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES,
SKIIP912GB120303W SEMIKRON

获取价格

 		Large IGBT Power Packs
SKIIP912GB120303W-F SEMIKRON

获取价格

 		Large IGBT Power Packs
SKIIP912GB120303W-FT SEMIKRON

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SKIIP912GB120303WT-FT SEMIKRON

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 		Large IGBT Power Packs
SKIIP942GAL120-317CTV SEMIKRON

获取价格

 		Half Bridge Based Peripheral Driver, 1125A

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