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SKIIP82AHB15

更新时间： 2024-11-18 21:16:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅双极性晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 360K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1500V V(RRM), 3 Element, CASE M8A, MINISKIIP-17

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SKIIP82AHB15 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SPECIAL SHAPE, R-XXSS-X17
针数：17Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.81配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED WITH BUILT-IN IGBT
最大直流栅极触发电流：150 mAJESD-30 代码：R-XXSS-X17
元件数量：3端子数量：17
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SPECIAL SHAPE认证状态：Not Qualified
重复峰值反向电压：1500 V表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SKIIP82AHB15 数据手册

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MiniSKiiP 8  
SKiiP 82 AHB 15  
SEMIKRON integrated  
intelligent Power  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions 1)  
Bridge Rectifier  
VRRM  
Values  
Units  
SKiiP 82 AHB 15  
1500  
75  
1000  
5000  
V
A
A
half controlled  
3-phase bridge rectifier +  
IGBT braking chopper  
ID  
IFSM/ITSM tp = 10 ms; sin. 180 °C, Tj = 25 °C  
I²t tp = 10 ms; sin. 180 °C, Tj = 25 °C  
Theatsink = 80 °C  
A²s  
IGBT Chopper  
VCES  
VGES  
IC  
1200  
± 20  
65 / 45  
130 / 90  
V
V
A
A
Case M8a  
Theatsink = 25 / 80 °C  
tp < 1 ms; Theatsink = 25 / 80 °C  
ICM  
Freewheeling Diode 2)  
VRRM  
IF  
IFM  
1200  
38 / 26  
76 / 52  
V
A
A
Theatsink = 25 / 80 °C  
tp < 1 ms; Theatsink = 25 / 80 °C  
Tj  
Tj  
Tstg  
Visol  
Diode & IGBT  
Thyristor  
– 40 ... + 150  
– 40 ... + 125  
– 40 ... + 125  
2500  
°C  
°C  
°C  
V
AC, 1 min.  
Characteristics  
Symbol Conditions 1)  
Diode - Rectifier  
min.  
typ.  
max.  
Units  
VF  
VTO  
rT  
IF = 75 A  
Tj = 125 °C  
–
–
–
–
1,15  
0,8  
4,5  
–
–
–
–
V
V
mΩ  
K/W  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
per diode  
Rthjh  
1,0  
UL recognized file no. E63532  
Thyristor - Rectifier  
VT IF = 120 A Tj = 25 °C  
VT (TO) Tj = 125 °C  
• specification of temperature  
sensor see part A  
• common characteristics see  
page B 16 – 4  
–
–
–
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
250  
600  
–
1,8  
1,1  
5
0,9  
–
3
150  
–
V
V
rT  
Rthjh  
IGD  
Tj = 125 °C  
per thyristor  
Tj = 125 °C  
mΩ  
K/W  
mA  
V
mA  
mA  
mA  
V/µs  
A/µs  
VGT  
IGT  
IH  
Tj = 25 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Options  
• also available with uncontrolled  
rectifier (called 82 ANB 15)  
• also available with powerful  
chopper, for characteristics  
please refer to SKiiP 82 AC 12  
• also available with full controlled  
rectifier (called 82 ATB 15)  
IL  
–
–
125  
dv/dtCR  
di/dtCR  
500  
–
–
IGBT - Chopper  
VCEsat  
td(on)  
tr  
IC = 50 A  
Tj = 25 (125) °C  
VCC = 600 V; VGE = ± 15 V  
IC = 50 A; Tj = 125 °C  
–
–
–
–
–
–
–
–
2,5(3,1)  
44  
56  
380  
70  
13  
3,3  
–
3,0(3,7)  
100  
100  
500  
100  
–
V
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
nF  
K/W  
td(off)  
tf  
R
gon = Rgoff = 22 Ω  
1)  
T
= 25 °C, unless otherwise  
inductive load  
heatsink  
specified  
Eon + Eoff  
Cies  
Rthjh  
2) CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology (soft and fast recovery)  
VCE = 25 V; VGE = 0 V, 1 MHz  
per IGBT  
–
0,5  
© by SEMIKRON  
0698  
B 16 – 73  
1234567

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与SKIIP82AHB15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKIIP82ANB15 SEMIKRON

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 		Diode,
SKIIP832GB120-406CTV SEMIKRON

获取价格

 		2-pack - integrated intelligent Power System
SKIIP832GB120-406CTVF SEMIKRON

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 		Half Bridge Based Peripheral Driver, 1000A
SKIIP832GB120-406CTVU SEMIKRON

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 		Half Bridge Based Peripheral Driver, 1000A
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SKIIP832GB120-4D_07 SEMIKRON

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 		2-pack - integrated intelligent Power System
SKIIP83AC12 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 125A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE M8, MINISKII
SKIIP83ANB08 ETC

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 		模块
SKIIP83ANB15T1 SEMIKRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 100A, 1500V V(RRM), Silicon, CASE M8A, MINISKIIP-11
SKIIP912GB120031 SEMIKRON

获取价格

 		Large IGBT Power Packs

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