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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKIIP23NAB126V1
SKIIP23NAB126V1 PDF预览

SKIIP23NAB126V1

更新时间： 2024-11-13 04:11:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 1206K
描述
3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter

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SKIIP23NAB126V1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X42
针数：42Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：41 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X42
JESD-609代码：e3/e4元件数量：7
端子数量：42最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN/SILVER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：565 ns标称接通时间 (ton)：115 ns
VCEsat-Max：2.1 VBase Number Matches：1

SKIIP23NAB126V1 数据手册

 浏览型号SKIIP23NAB126V1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKIIP23NAB126V1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKIIP23NAB126V1的Datasheet PDF文件第4页 
SKiiP 23NAB126V1 CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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Characteristics  
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Features  
Symbol Conditions  
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Temperature Sensor  
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NAB  
1
02-05-2007 SCT  
© by SEMIKRON  
1234

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