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SKIIP24AC12T4V1

更新时间: 2024-09-25 03:29:39
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 701K
描述
3-phase bridge inverter

SKIIP24AC12T4V1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X42针数:42
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):52 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X42元件数量:6
端子数量:42最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):373 ns标称接通时间 (ton):52 ns
VCEsat-Max:2.1 VBase Number Matches:1

SKIIP24AC12T4V1 数据手册

 浏览型号SKIIP24AC12T4V1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKIIP24AC12T4V1的Datasheet PDF文件第3页 
SKiiP 24AC12T4V1  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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15-10-2007 LAN  
© by SEMIKRON  

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