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SKIIP25NEB066V1

更新时间： 2024-09-25 20:09:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 1241K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP 2, 18 PIN

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SKIIP25NEB066V1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18针数：18
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：36 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, SINGLE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X18
元件数量：6端子数量：18
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：245 ns标称接通时间 (ton)：40 ns
VCEsat-Max：1.85 VBase Number Matches：1

SKIIP25NEB066V1 数据手册

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SKiiP 25NEB066V1 CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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Characteristics  
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Features  
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1
01-02-2010 LAN  
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