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SKIIP26GB07E3V1

更新时间： 2024-09-25 21:16:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅
页数 文件大小 规格书
5页 489K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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SKIIP26GB07E3V1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.71
Base Number Matches：1

SKIIP26GB07E3V1 数据手册

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SKiiP 26GB07E3V1  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Inverter - IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
650  
229  
183  
200  
600  
V
A
A
A
A
V
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3 x ICnom  
-20 ... 20  
MiniSKiiP® 2 Dual  
VCC = 360 V  
VGE ≤ 15 V  
VCES ≤ 650 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
6
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse - Diode  
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
IF  
235  
184  
200  
A
A
A
A
A
Tj = 175 °C  
SKiiP 26GB07E3V1  
Features  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2 x IFnom  
400  
10 ms, sin 180°, Tj = 150 °C  
1224  
-40 ... 175  
ꢀ 650V Trench IGBTs  
°C  
ꢀ Robust and soft diodes in CAL  
technology  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
ꢀ Highly reliable spring contacts for  
electrical connections  
Tterminal = 80 °C, 20 A per spring  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
200  
-40 ... 125  
2500  
A
°C  
V
ꢀ UL recognised: File no. E63532  
ꢀ NTC T-Sensor  
Visol  
Characteristics  
Remarks  
Symbol Conditions  
Inverter - IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
ꢀ Max. case temperature limited to TC=  
125°C  
ꢀ Product reliability results valid for  
Tj≤150°C (recommended  
IC = 200 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.45  
1.70  
1.85  
2.10  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
T
j,op=-40...+150°C)  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.9  
0.82  
2.8  
4.4  
5.8  
0.1  
1
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
chiplevel  
0.9  
4.3  
6
6.5  
0.3  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE = VCE, IC = 3.2 mA  
Tj = 25 °C  
VGE(th)  
ICES  
5
VGE = 0 V  
CE = 650 V  
V
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
12.32  
0.77  
0.37  
1600  
1
64  
62  
4.4  
486  
60  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
- 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 300 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
ns  
ns  
mJ  
ns  
I
C = 200 A  
R
R
G on = 4 Ω  
G off = 4 Ω  
di/dton = 4095 A/µs  
di/dtoff = 3935 A/µs  
du/dt = 5020 V/µs  
ns  
V
GE = +15/-8 V  
Tj = 150 °C  
Eoff  
7.4  
mJ  
Ls = 25 nH  
per IGBT, λpaste=0.8 W/K*m  
Rth(j-s)  
0.28  
K/W  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 1 – 11.03.2015  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKIIP26GB12F4V1 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
SKIIP26GB12T4V1 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
SKIIP26NAB065V1 SEMIKRON

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