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SKIIP26GB12F4V1

更新时间： 2024-09-25 20:04:59

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	714K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SKIIP26GB12F4V1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X36
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	258 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X36
元件数量：	2	端子数量：	36
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	466 ns	标称接通时间 (ton)：	219 ns
Base Number Matches：	1

SKIIP26GB12F4V1 数据手册

SKiiP26GB12F4V1

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

202

164

200

400

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 2 x I_Cnom

-20 ... 20

MiniSKiiP^®2 Dual

V_CC= 800 V

V_GE≤ 15 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse - Diode

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

I_F

194

154

200

600

990

T_j= 175 °C

SKiiP26GB12F4V1

Features

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3 x I_Fnom

10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

ꢀ Fast Trench 4 IGBTs

-40 ... 175

°C

ꢀ Robust and soft freewheeling diodes in

CAL technology

Module

I_t(RMS)

T_stg

ꢀ Highly reliable spring contacts for

electrical connections

T_terminal= 80 °C, 20 A per spring

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

200

-40 ... 125

2500

°C

ꢀ UL recognised: File no. E63532

ꢀ NTC T-Sensor

V_isol

Characteristics

Remarks

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

min.

typ.

max.

Unit

ꢀ Max. case temperature limited to T_C=

125°C

ꢀ Product reliability results valid for

T_j≤150°C (recommended

I_C= 200 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

2.05

2.50

2.40

2.85

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

_j,op=-40...+150°C)

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

6.3

9.0

5.8

0.1

12.30

0.90

0.80

7.5

6.4

0.3

mΩ

Ω

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE= V_CE, I_C= 7.6 mA

T_j= 25 °C

V_GE(th)

I_CES

5.2

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

0.69

1130

3.8

167

16.8

414

- 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 200 A

_{G on}= 2 Ω

_{G off}= 2 Ω

di/dt_on= 4100 A/µs

di/dt_off= 2500 A/µs

V_GE= +15/-15 V

T_j= 150 °C

E_off

16.3

0.25

per IGBT, λ_paste=0.8 W/(Km)

R_th(j-s)

K/W

Rev. 1.0 – 07.06.2016

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKIIP26GB12T4V1	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
SKIIP26NAB065V1	SEMIKRON	获取价格	3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter
SKIIP26NAB066V1	SEMIKRON	获取价格	3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter
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