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SKIIP25NAB066V1 PDF预览

SKIIP25NAB066V1

更新时间： 2024-09-25 03:52:43
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 1546K
描述
3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter

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SKIIP25NAB066V1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X42
针数：42Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：39 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X42
JESD-609代码：e2元件数量：7
端子数量：42最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：245 ns
标称接通时间 (ton)：40 nsVCEsat-Max：1.85 V
Base Number Matches：1

SKIIP25NAB066V1 数据手册

 浏览型号SKIIP25NAB066V1的Datasheet PDF文件第2页 
SKiiP 25NAB066V1  
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Characteristics  
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Features  
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1
13-10-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
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与SKIIP25NAB066V1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKIIP25NAB066V1_06 SEMIKRON

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 		3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter
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