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SKIIP23NAB126V10

更新时间： 2024-09-25 04:11:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 1770K
描述
3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter

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SKIIP23NAB126V10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X42Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：41 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X42
元件数量：6端子数量：42
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：565 ns标称接通时间 (ton)：115 ns
VCEsat-Max：2.1 VBase Number Matches：1

SKIIP23NAB126V10 数据手册

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SKiiP 23NAB126V10  
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Characteristics  
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Features  
Symbol Conditions  
IGBT - Inverter, Chopper  
min.  
typ.  
max. Units  
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1
19-10-2004 SEN  
© by SEMIKRON  
1234

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