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SKIIP2403GB172-4DWV3

更新时间： 2024-09-25 21:20:03
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅
页数 文件大小 规格书
5页 219K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2282A I(C), 1700V V(BR)CES

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SKIIP2403GB172-4DWV3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：2282 A
集电极-发射极最大电压：1700 V元件数量：1
最高工作温度：150 °C子类别：Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max：2.4 VBase Number Matches：1

SKIIP2403GB172-4DWV3 数据手册

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SKiiP 2403 GB172-4DW V3  
Absolute Maximum Ratings  
Ts = 25°C unless otherwise specified  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
System  
1)  
VCC  
Visol  
It(RMS)  
IFSM  
I²t  
Operating DC link voltage  
1200  
5600  
400  
13500  
911  
V
V
A
DC, t = 1 s, main terminals to heat sink  
per AC terminal, Tterminal <115°C  
Tj = 125 °C, tp = 10 ms, sin 180°  
Tj = 150 °C, tp = 10 ms, diode  
fundamental output frequency  
storage temperature  
A
kA²s  
kHz  
°C  
fout  
Tstg  
1
SKiiP® 3  
-40 ... 85  
IGBT  
VCES  
IC  
Tj = 25 °C  
1700  
2282  
1760  
V
A
A
2-pack-integrated intelligent  
Power System  
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 150 °C  
ICnom  
Tj  
2400  
-40 ... 150  
A
°C  
junction temperature  
SKiiP 2403 GB172-4DW V3  
Features  
Diode  
VRRM  
IF  
Tj = 25 °C  
1700  
1921  
1467  
1800  
-40 ... 150  
V
A
A
A
°C  
Ts = 25 °C  
Tj = 150 °C  
• SKiiP technology inside  
• Trench IGBTs  
Ts = 70 °C  
IFnom  
Tj  
• CAL HD diode technology  
• Integrated current sensor  
• Integrated temperature sensor  
• Integrated heat sink  
junction temperature  
Driver  
V s  
ViH  
VisolPD  
dv/dt  
fsw  
power supply  
13 ... 30  
15 + 0.3  
1500  
75  
V
V
V
kV/µs  
kHz  
• UL recognized File no. E63532  
input signal voltage (high)  
QPD <= 10pC, PRIM to POWER  
secondary to primary side  
switching frequency  
Typical Applications*  
• Renewable energies  
• Traction  
7
• Elevators  
Characteristics  
Ts = 25°C unless otherwise specified  
• Industrial drives  
Symbol Conditions  
IGBT  
VCE(sat)  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Footnotes  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
1.9  
2.2  
1.00  
0.90  
0.75  
1.1  
2.4  
V
V
V
IC = 1200 A  
at terminal  
1 With assembly of suitable MKP capacitor per  
terminal  
VCE0  
1.20  
1.10  
0.95  
1.3  
V
rCE  
m  
m  
mJ  
mJ  
K/W  
K/W  
at terminal  
V
V
CC = 900 V  
CC = 1200 V  
Eon + Eoff  
780  
1150  
IC = 1200 A  
Tj = 125 °C  
Rth(j-s)  
Rth(j-r)  
per IGBT switch  
per IGBT switch  
0.013  
0.012  
S43  
© by SEMIKRON  
Rev. 3 – 23.11.2012  
1
12345

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与SKIIP2403GB172-4DWV3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKIIP2413GB121-4DUW SEMIKRON

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 		Half Bridge Based Peripheral Driver, 3000A
SKIIP2413GB123-4DFWV3 SEMIKRON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 2280A I(C), 1200V V(BR)CES
SKIIP2413GB123-4DL SEMIKRON

获取价格

 		2-pack-integrated intelligent Power System
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