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SKIIP23NAB12T4V10

更新时间: 2024-11-13 20:08:47
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 1552K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP 2, 42 PIN

SKIIP23NAB12T4V10 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X42针数:42
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.65
其他特性:HIGH RELIABLEITY, UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):41 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-XUFM-X42
元件数量:7端子数量:42
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):365 ns
标称接通时间 (ton):70 nsBase Number Matches:1

SKIIP23NAB12T4V10 数据手册

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SKiiP 23NAB12T4V10 CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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Characteristics  
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Symbol Conditions  
IGBT - Inverter, Chopper  
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max. Units  
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-
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Typical Applications  
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N.  
1
22-12-2009 LAN  
© by SEMIKRON  

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