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SKIIP23NAB12T4V10 PDF预览

SKIIP23NAB12T4V10

更新时间： 2024-11-13 20:08:47
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 1552K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP 2, 42 PIN

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SKIIP23NAB12T4V10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X42针数：42
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.65
其他特性：HIGH RELIABLEITY, UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：41 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X42
元件数量：7端子数量：42
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：365 ns
标称接通时间 (ton)：70 nsBase Number Matches：1

SKIIP23NAB12T4V10 数据手册

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SKiiP 23NAB12T4V10 CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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1
22-12-2009 LAN  
© by SEMIKRON  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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