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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 84 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 68 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 22 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 318 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 41 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4BC30UDPBF | INFINEON |
完全替代  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT |
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| IRG4PC40WPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PF50WDPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKB06N60ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP |
|
| SKB06N60HS | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology |
|
| SKB06N60HS_07 | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation |
|
| SKB06N60HSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP |
|
| SKB1.2/01 | SEMIKRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN |
|
| SKB1.2/02 | SEMIKRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN |
|
| SKB1.2/04 | SEMIKRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN |
|
| SKB1.2/08 | SEMIKRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN |
|
| SKB1.2/12 | SEMIKRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 1200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN |
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| SKB1.2XX | SEMIKRON |
获取价格 |
Miniature Bridge Rectifiers |
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