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SKB06N60HSATMA1

更新时间： 2024-11-05 20:05:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1188K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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SKB06N60HSATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	245 ns
标称接通时间 (ton)：	23 ns	Base Number Matches：	1

SKB06N60HSATMA1 数据手册

SKB06N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology

• 30% lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for operation above 30 kHz

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- parallel switching capability

PG-TO-263-3-2

- moderate E_offincrease with temperature

- very tight parameter distribution

•

High ruggedness, temperature stable behaviour

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

T_j

Marking

Package

E_off

K06N60HS

SKB06N60HS

Maximum Ratings

Parameter

600V

80µJ

PG-TO-263-3-2

150°C

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Diode forward current

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

Gate-emitter voltage static

I_{Fpul s}

V_{G E}

±20

±30

transient (t_p<1µs, D<0.05)

Short circuit withstand time²⁾

t_SC

µs

V_GE= 15V, V_CC≤ 400V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j,

-55...+150

°C

T_stg

Time limited operating junction temperature for t < 150h

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

T_j(tl)

175

245

¹J-STD-020 and JESD-022

²⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.3 Oct.07

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKB1.2/01	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN
SKB1.2/02	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN
SKB1.2/04	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN
SKB1.2/08	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN
SKB1.2/12	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 1200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN
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SKB1.5/08	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1.5A, 800V V(RRM),
SKB1.5/10	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1.5A, 1000V V(RRM),
SKB1.5XX	SEMIKRON	获取价格	Miniature Bridge Rectifiers

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