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SKB1.2/02

更新时间: 2024-11-07 21:00:23
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN

SKB1.2/02 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:S-PDIP-W4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.35 VJESD-30 代码:S-PDIP-W4
最大非重复峰值正向电流:64 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:0.00002 µA最大反向恢复时间:10 µs
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

SKB1.2/02 数据手册

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