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SKB1/08

更新时间: 2024-11-07 15:51:19
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 228K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1A, 800V V(RRM),

SKB1/08 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.86
Is Samacsys:N配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:4
最高工作温度:125 °C最大输出电流:1 A
最大重复峰值反向电压:800 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

SKB1/08 数据手册

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