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SKB1.2/08

更新时间: 2024-11-07 21:00:23
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1, 4 PIN

SKB1.2/08 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:S-PDIP-W4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.35 V
JESD-30 代码:S-PDIP-W4最大非重复峰值正向电流:64 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:800 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:10 µs子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SKB1.2/08 数据手册

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