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SK10BGDL063

更新时间： 2024-11-06 20:01:27
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 326K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE T44, SEMITOP-17

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SK10BGDL063 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数：17Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：18 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X17
JESD-609代码：e2元件数量：7
端子数量：17最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：270 ns
标称接通时间 (ton)：90 nsBase Number Matches：1

SK10BGDL063 数据手册

 浏览型号SK10BGDL063的Datasheet PDF文件第2页 
SK 10 BGDL 063  
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SEMITOP 3  
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Rectifier  
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bridge inverter  
SK 10 BGDL 063  
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Characteristics  
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Symbol Conditions  
IGBT - Inverter, Chopper  
min.  
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+2*C  
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Typical Applications  
Diode - Inverter, Chopper  
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+2+5  
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Diode rectifier  
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620*  
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3
3
3ꢘ$ꢎ  
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Aꢇꢕꢘ<"ꢊ  
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62C  
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GBH  
E
Temperatur sensor  
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Mechanical data  
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9ꢂꢑꢍꢇꢋꢍꢌ ꢇꢂꢏMꢑꢉ  
!ꢃ  
BGDL  
1
16-09-2003 RAM  
© by SEMIKRON  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK10DGDL063 SEMIKRON

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