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SIHS36N50D-E3

更新时间： 2024-09-16 19:46:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	174K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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SIHS36N50D-E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	2.11
雪崩能效等级（Eas）：	332 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-274AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	112 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHS36N50D-E3 数据手册

SiHS36N50D

Vishay Siliconix

www.vishay.com

D Series Power MOSFET

FEATURES

• Optimal Design

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V) at T_Jmax.

_DS(on)max. at 25 °C ()

Q_gmax. (nC)

550

- Low Area specific On-Resistance

- Low Input Capacitance (C_iss

V_GS= 10 V

0.130

)

125

- Reduced Capacitive Switching Losses

- High Body Diode Ruggedness

- Avalanche Energy Rated (U_IS)

• Optimal Efficiency and Operation

- Low Cost

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

- Simple Gate Drive Circuitry

- Low Figure-Of-Merit (FOM): R_onx Q_g

- Fast Switching

Super-247

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Consumer Electronics

- Displays (LCD or Plasma TV

• Server and Telecom Power Supplies

- SMPS

N-Channel MOSFET

• Industrial

- Welding, Induction Heating, Motor Drives

• Battery Chargers

ORDERING INFORMATION

Package

Super-247

Lead (Pb)-free

SiHS36N50D-E3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

500

Gate-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

112

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

3.6

W/°C

E_AS

P_D

332

Maximum Power Dissipation

446

Operating Junction and Storage Temperature Range

Drain-Source Voltage Slope

Reverse Diode dV/dt^d

T_J, T_stg

- 55 to + 150

°C

T_J= 125 °C

dV/dt

V/ns

°C

0.1

300^c

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 2.3 mH, R_g= 25 , I_AS= 17 A.

c. 1.6 mm from case.

d. I_SD I_D, starting T_J= 25 °C.

S12-1457-Rev. A, 18-Jun-12

Document Number: 91514

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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SiHU2N80AE	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET
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