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SIHG47N60E-GE3

更新时间： 2024-01-02 17:50:26

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	185K
描述
E Series Power MOSFET

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SIHG47N60E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.4
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A
最大漏极电流 (ID)：	47 A	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	357 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	145 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHG47N60E-GE3 数据手册

SiHG47N60E

Vishay Siliconix

www.vishay.com

E Series Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Low Figure-of-Merit (FOM) R_onx Q_g

• Low Input Capacitance (C_iss

• Reduced Switching and Conduction Losses

• Ultra Low Gate Charge (Q_g)

V_DS(V) at T_Jmax.

_DS(on)max. at 25 °C ()

Q_gmax. (nC)

650

V_GS= 10 V

0.064

220

)

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Avalanche Energy Rated (UIS)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

TO-247AC

• Switch Mode Power Supplies (SMPS)

• Power Factor Correction Power Supplies (PFC)

• Lighting

- High-Intensity Discharge (HID)

- Fluorescent Ballast Lighting

• Industrial

N-Channel MOSFET

- Welding

- Induction Heating

- Motor Drives

- Battery Chargers

- Renewable Energy

- Solar (PV Inverters)

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247AC

SiHG47N60E-GE3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

600

Gate-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)

_C= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

145

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

1500

357

W/°C

E_AS

P_D

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

Drain-Source Voltage Slope

Reverse Diode dV/dt^d

T_J, T_stg

- 55 to + 150

°C

T_J= 125 °C

for 10 s

dV/dt

V/ns

°C

300^c

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 73.5 mH, R_g= 25 , I_AS= 6.4 A.

c. 1.6 mm from case.

d. I_SD I_D, dI/dt = 100 A/μs, starting T_J= 25 °C.

S11-2089 Rev. B, 31-Oct-11

Document Number: 91474

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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