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SIHFU9020-GE3

更新时间： 2024-10-19 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1594K
描述
TRANSISTOR 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, IPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFU9020-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.9 A	最大漏极电流 (ID)：	9.9 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFU9020-GE3 数据手册

IRFR9020, IRFU9020, SiHFR9020, SiHFU9020

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 50

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.28

• Surface Mountable (Order As IRFR9020,

Q_g(Max.) (nC)

6.5

SiHFR9020)

_gs(nC)

_gd(nC)

• Straight Lead Option (Order As IRFU9020,

SiHFU9020)

• Repetitive Avalanche Ratings

• Dynamic dV/dt Rating

• Simple Drive Requirements

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s

advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient

geometry and unique processing of this latest “State of the

Art” design achieves: very low on-state resistance

combined with high transconductance; superior reverse

energy and diode recovery dV/dt.

P-Channel MOSFET

The Power MOSFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFET’S such as voltage

control, very fast switching, ease of paralleling and

temperature stability of the electrical parameters.

Surface mount packages enhance circuit performance by

reducing stray inductances and capacitance. The TO-252

surface mount package brings the advantages of Power

MOSFET’s to high volume applications where PC Board

surface mounting is desirable. The surface mount option

IRFR9020, SiHFR9020 is provided on 16mm tape. The

straight lead option IRFU9020, SiHFU9020 of the device is

called the IPAK (TO-251).

They are well suited for applications where limited heat

dissipation is required such as, computers and peripherals,

telecommunication equipment, dc-to-dc converters, and a

wide range of consumer products.

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

DPAK (TO-252)

SiHFR9020-GE3

IRFR9020PbF

SiHFR9020-E3

IRFR9020

DPAK (TO-252)

SiHFR9020TR-GE3^a

IRFR9020TRPbF^a

SiHFR9020T-E3^a

IRFR9020TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

SiHFU9020-GE3

IRFU9020PbF

SiHFU9020-E3

IRFU9020

SiHFR9020TRL-GE3^a

IRFR9020TRLPbF^a

SiHFR9020TL-E3^a

IRFR9020TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9020

SiHFR9020T^a

SiHFR9020TL^a

SiHFU9020

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 50

_C= 25 °C

- 9.9

- 6.3

- 40

0.33

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

Linear Derating Factor

I_DM

W/°C

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90350

S10-1135-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SIHFU9022-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9024	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9024	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
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