SIHFU9120

更新时间： 2024-11-25 06:13:07

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHFU9120 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.6 A	最大漏极电流 (ID)：	5.6 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFU9120 数据手册

IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.60

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9120/SiHFR9120)

• Straight Lead (IRFU9120/SiHFU9120)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.0

_gs(nC)

_gd(nC)

9.0

Configuration

Single

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9120TRLPbF^a

SiHFR9120TL-E3^a

IRFR9120TRL^a

SiHFR9120TL^a

IPAK (TO-251)

IRFU9120PbF

IRFR9120PbF

SiHFR9120-E3

IRFR9120

IRFR9120TRPbF^a

SiHFR9120T-E3^a

IRFR9120TR^a

Lead (Pb)-free

SiHFU9120-E3

IRFU9120PbF

SnPb

SiHFR9120

SiHFR9120T^a

SiHFU9120

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 100

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

- 5.6

- 3.6

- 22

0.33

0.020

210

- 5.6

4.2

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

_C= 25 °C

P_D

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 5.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91280

S-Pending-Rev. A, 17-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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