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SIHFUC20-GE3

更新时间： 2024-11-21 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1942K
描述
TRANSISTOR 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, IPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFUC20-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.16
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	74 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	4.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFUC20-GE3 数据手册

IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

600

Definition

• Dynamic dV/dt Rating

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

4.4

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20)

• Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

3.0

_gs(nC)

_gd(nC)

8.9

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFUC, SiHFUC series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and

Halogen-free

IPAK (TO-251)

SiHFUC20-GE3

DPAK (TO-252)

SiHFRC20-GE3

SiHFRC20TRL-GE3

SiHFRC20TR-GE3

SiHFRC20TRR-GE3

IRFRC20TRLPbF^a

SiHFRC20TL-E3^a

IRFRC20TRL^a

IRFRC20TRPbF^a

SiHFRC20T-E3^a

IRFRC20TR^a

IRFRC20TRRPbF^a

SiHFRC20TR-E3^a

IRFRC20TRR^a

IRFRC20PbF

SiHFRC20-E3

IRFRC20

IRFUC20PbF

SiHFUC20-E3

IRFUC20

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFRC20TL^a

SiHFRC20T^a

SiHFRC20TR^a

SiHFRC20

SiHFUC20

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

2.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

1.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.33

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.0

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

3.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 37 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 2.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.0 A, dI/dt ≤ 40 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91285

S10-1139-Rev. D, 17-May-10

www.vishay.com

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