SIHFZ20

更新时间： 2024-11-21 09:25:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHFZ20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	5 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFZ20 数据手册

IRFZ20, SiHFZ20

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Extremely Low R_DS(on)

• Compact Plastic Package

• Fast Switching

_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.10

Q_g(Max.) (nC)

9.0

• Low Drive Current

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

3.0

• Excellent Temperature Stability

• Parts Per Million Quality

Configuration

Single

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

TO-220AB

DESCRIPTION

The technology has expanded its product base to serve the

low voltage, very low R_DS(on)MOSFET transistor

requirements.

Vishay’s highly efficient geometry and

unique processing have been combined to create the lowest

on resistance per device performance. In addition to this

feature all have documented reliability and parts per million

quality!

N-Channel MOSFET

The transistor also offer all of the well established

advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast

switching, ease of paralleling, and temperature stability of

the electrical parameters.

They are well suited for applications such as switching

power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio

amplifiers, high energy pulse circuits, and in systems that

are operated from low voltage batteries, such as

automotive, portable equipment, etc.

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220AB

IRFZ20PbF

SiHFZ20-E3

IRFZ20

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ20

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Drain-Source Voltage^a

SYMBOL

V_DS

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage^a

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^b

I_DM

Single Pulse Avalanche Energy^c

E_AS

W/°C

Linear Derating Factor (see fig. 16)

0.32

Maximum Power Dissipation (see fig. 16)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

_C= 25 °C

for 10 s

P_D

T_J, T_stg

- 55 to + 150

°C

300 (0.063" (1.6 mm) from case

Notes

a. T_J= 25 °C to 150 °C

b. Repeditive rating: Pulse width limited by max. junction temperature. See transient temperature impedance curve (see fig. 11).

c. Starting T_J= 25 °C, L = 0.07 mH, R_g= 25 , I_AS= 12 A

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91340

S10-1682-Rev. A, 26-Jul-10

www.vishay.com

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