Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFZ24STRR-GE3

SIHFZ24STRR-GE3

更新时间： 2024-11-09 09:25:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	429K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFZ24STRR-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFZ24STRR-GE3 数据手册

IRFZ24S, IRFZ24L, SiHFZ24S, SiHFZ24S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Advanced Process Technology

• Surface Mount (IRFZ24S, SiHFZ24S)

• Low-ProfileThrough-Hole (IRFZ24L, SiHFZ24L)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

R_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.10

Q_g(Max.) (nC)

5.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest

power capability and the last lowest possible on-resistance

in any existing surface mount package. The D²PAK is

suitable for high current applications because of its low

internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W

in a typical surface mount application. The through-hole

version (IRFZ24L, SiHFZ24L) is available for low-profile

applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

SiHFZ24S-GE3

IRFZ24SPbF

D²PAK (TO-263)

SiHFZ24STRR-GE3

I²PAK (TO-262)

IRFZ24LPbF

SiHFZ24L-E3

Lead (Pb)-free

SiHFZ24S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMIT

UNIT

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

100

3.7

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

E_AS

P_D

_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

V/ns

°C

T_A= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

- 55 to + 175

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 400 μH, R_g= 25 , I_AS= 17 A (see fig. 12).

c. I_SD 17 A, dI/dt  140 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFZ24, SiHFZ24 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90366

S11-1063-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与SIHFZ24STRR-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFZ34	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ34	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ34-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ34-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ34L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ34L-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ34L-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SIHFZ34S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ34S-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ34S-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与SIHFZ24STRR-GE3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

47
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFZ24STRR-GE3

SIHFZ24STRR-GE3 技术参数

SIHFZ24STRR-GE3 数据手册

与SIHFZ24STRR-GE3相关器件

与SIHFZ24STRR-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFZ24STRR-GE3

SIHFZ24STRR-GE3 技术参数

SIHFZ24STRR-GE3 数据手册

与SIHFZ24STRR-GE3相关器件

与SIHFZ24STRR-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？