SIHFZ34L

更新时间： 2024-11-25 06:11:43

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
Power MOSFET

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SIHFZ34L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFZ34L 数据手册

IRFZ34S, IRFZ34L, SiHFZ34S, SiHFZ34L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.050

RoHS*

• Low-Profile Through-Hole (IRFZ34L/SiHFZ34L)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

_gs(nC)

_gd(nC)

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAKis a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to 2

W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

The through-hole version (IRFZ34L/SiHFZ34L) is available

for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFZ34SPbF

SiHFZ34S-E3

IRFZ34S

D²PAK (TO-263)

IRFZ34STRLPbF^a

SiHFZ34STLPbF^a

IRFZ34STRL^a

I²PAK (TO-263)

IRFZ34LPbF

SiHFZ34L-E3

IRFZ34L

IRFZ34STRRPbF^a

SiHFZ34STRPbF^a

IRFZ34STRR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ34S

SiHFZ34STR^a

SiHFZ34STL^a

SiHFZ34L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

120

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

0.59

200

3.7

W/°C

E_AS

P_D

_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

V/ns

°C

T_A= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

- 55 to + 175

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, Starting T_J= 25 °C, L = 260 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 30 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 30 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFZ34/SiHFZ34 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90368

S-Pending-Rev. A, 22-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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