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SIHFZ24STL

更新时间： 2024-11-21 13:13:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1233K
描述
TRANSISTOR 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFZ24STL 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.09
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHFZ24STL 数据手册

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IRFZ24, SiHFZ24  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
R
DS(on) ()  
VGS = 10 V  
0.10  
Qg (Max.) (nC)  
25  
5.8  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Simple Drive Requirements  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
11  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
TO-220AB  
G
The TO-220AB package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220AB contribute to its  
wide acceptance throughout the industry.  
S
S
N-Channel MOSFET  
D
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220AB  
IRFZ24PbF  
SiHFZ24-E3  
IRFZ24  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFZ24  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
VDS  
60  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 100 °C  
17  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
12  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
68  
0.40  
Linear Derating Factor  
W/°C  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Maximum Power Dissipation  
EAS  
PD  
100  
TC = 25 °C  
60  
W
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 403 μH, Rg = 25 , IAS = 17 A (see fig. 12).  
c. ISD 17 A, dI/dt 140 A/μs, VDD VDS, TJ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91406  
S11-0521-Rev. B, 21-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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