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SIHFZ20-E3 PDF预览

SIHFZ20-E3

更新时间： 2024-11-09 09:25:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1841K
描述
Power MOSFET

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SIHFZ20-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.29其他特性：ULTRA LOW-ON RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：5 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

SIHFZ20-E3 数据手册

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IRFZ20, SiHFZ20  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Extremely Low RDS(on)  
50  
• Compact Plastic Package  
• Fast Switching  
R
DS(on) ()  
VGS = 10 V  
0.10  
Qg (Max.) (nC)  
17  
9.0  
• Low Drive Current  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
3.0  
• Excellent Temperature Stability  
• Parts Per Million Quality  
Configuration  
Single  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
TO-220AB  
DESCRIPTION  
The technology has expanded its product base to serve the  
low voltage, very low RDS(on) MOSFET transistor  
requirements.  
Vishay’s highly efficient geometry and  
G
unique processing have been combined to create the lowest  
on resistance per device performance. In addition to this  
feature all have documented reliability and parts per million  
quality!  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
The transistor also offer all of the well established  
advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast  
switching, ease of paralleling, and temperature stability of  
the electrical parameters.  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, high energy pulse circuits, and in systems that  
are operated from low voltage batteries, such as  
automotive, portable equipment, etc.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220AB  
IRFZ20PbF  
SiHFZ20-E3  
IRFZ20  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFZ20  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
Drain-Source Voltagea  
SYMBOL  
VDS  
LIMIT  
UNIT  
50  
V
Gate-Source Voltagea  
VGS  
20  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
15  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
T
10  
A
Pulsed Drain Currentb  
IDM  
60  
Single Pulse Avalanche Energyc  
EAS  
5
mJ  
W/°C  
W
Linear Derating Factor (see fig. 16)  
0.32  
40  
Maximum Power Dissipation (see fig. 16)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
T
C = 25 °C  
for 10 s  
PD  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
°C  
300 (0.063" (1.6 mm) from case  
Notes  
a. TJ = 25 °C to 150 °C  
b. Repeditive rating: Pulse width limited by max. junction temperature. See transient temperature impedance curve (see fig. 11).  
c. Starting TJ = 25 °C, L = 0.07 mH, Rg = 25 , IAS = 12 A  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91340  
S10-1682-Rev. A, 26-Jul-10  
www.vishay.com  
1
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