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SIHFU9210-GE3

更新时间： 2024-11-25 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1667K
描述
TRANSISTOR 1.9 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, IPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFU9210-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.9 A	最大漏极电流 (ID)：	1.9 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7.6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFU9210-GE3 数据手册

IRFR9210, IRFU9210, SiHFR9210, SiHFU9210

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

- 200

Definition

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

3.0

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR9210, SiHFR9210)

• Straight Lead (IRFU9210, SiHFU9210)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

8.9

2.1

3.9

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

The Power MOSFETs technology is the key to Vishay’s

advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient

geometry and unique processing of the Power MOSFET

design achieve very low on-state resistance combined with

high transconductance and extreme device ruggedness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

DPAK (TO-252)

SiHFR9210-GE3

IRFR9210PbF

SiHFR9210-E3

IRFR9210

DPAK (TO-252)

SiHFR9210TR-GE3

IRFR9210TRPbF^a

SiHFR9210T-E3^a

IRFR9210TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

SiHFU9210-GE3

IRFU9210PbF

SiHFU9210-E3

IRFU9210

Lead (Pb)-free

SnPb

IRFR9210TRL^a

SiHFR9210TL^a

SiHFR9210

SiHFR9210T^a

SiHFU9210

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 1.9

- 1.2

- 7.6

0.20

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

Linear Derating Factor

I_DM

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

0.020

300

- 1.9

2.5

E_AS

I_AR

E_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

P_D

V/ns

°C

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 124 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= - 1.9 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 1.9 A, dI/dt ≤ 70 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91281

S10-1139-Rev. B, 17-May-10

www.vishay.com

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