Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFU9022-E3

SIHFU9022-E3

更新时间： 2024-10-19 06:12:11

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHFU9022-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	440 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.33 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFU9022-E3 数据手册

IRFR9022, IRFU9022, SiHFR9022, SiHFU9022

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

•

Surface Mountable (Order as IRFR9022/SiHFR9022)

- 50

Available

•

Straight Lead Option (Order as IRFU9022/SiHFU9022)

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.33

RoHS*

• Repetitive Avalanche Ratings

• Dynamic dV/dt Rating

Q_g(Max.) (nC)

6.5

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

DPAK

IPAK

The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s

advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient

geometry and unique processing of this latest “State of the

Art” design achieves: very low on-state resistance combined

with high transconductance; superior reverse energy and

diode recovery dV/dt.

(TO-252)

(TO-251)

The Power MOSFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFET’S such as voltage

control, very fast switching, ease of paralleling and

temperature stability of the electrical parameters.

P-Channel MOSFET

Surface mount packages enhance circuit performance by

reducing stray inductances and capacitance. The TO-252

surface mount package brings the advantages of Power

MOSFET’s to high volume applications where PC Board

surface mounting is desirable. The surface mount option

IRFR9022/SiHFR9022 is provided on 16mm tape. The

straight lead option IRFR9022/SiHFR9022 of the device is

called the IPAK (TO-251).

They are well suited for applications where limited heat

dissipation is required such as, computers and peripherals,

telecommunication equipment, DC/DC converters, and a

wide range of consumer products.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9022PbF

SiHFR9022-E3

IRFR9022

DPAK (TO-252)

IRFR9022TRLPbF^a

SiHFR9022TL-E3^a

IRFR9022TRL^a

SiHFR9022TL^a

IPAK (TO-251)

IRFU9022PbF

SiHFU9022-E3

IRFU9022

IRFR9022TRPbF^a

SiHFR9022T-E3^a

IRFR9022TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9022

SiHFR9022T^a

SiHFU9022

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 50

V_GS

_C= 25 °C

- 9.0

- 5.7

- 36

0.33

440

- 9.9

4.2

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

E_AR

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91349

S-Pending-Rev. A, 10-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7...9

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SIHFU9024	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9024-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9024-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9110	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9110-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9110-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9110-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND R
SIHFU9120	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating

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