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SIHFU9014-GE3

更新时间： 2024-10-19 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1916K
描述
TRANSISTOR 5.1 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, IPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFU9014-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A	最大漏极电流 (ID)：	5.1 A
最大漏源导通电阻：	0.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFU9014-GE3 数据手册

IRFR9014, IRFU9014, SiHFR9014, SiHFU9014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

- 60

• Dynamic dV/dt Rating

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR9014, SiHFR9014)

• Straight Lead (IRFU9014, SiHFU9014)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

3.8

5.1

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHFR9014-GE3

IRFR9014PbF

SiHFR9014-E3

IRFR9014

DPAK (TO-252)

SiHFR9014TR-GE3^a

IRFR9014TRPbF^a

SiHFR9014T-E3^a

IRFR9014TR^a

IPAK (TO-251)

SiHFU9014-GE3

IRFU9014PbF

SiHFU9014-E3

IRFU9014

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFR9014TRL-GE3^a

IRFR9014TRLPbF^a

SiHFR9014TL-E3^a

IRFR9014TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9014

SiHFR9014TL^a

SiHFR9014T^a

SiHFU9014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 60

_C= 25 °C

- 5.1

- 3.2

- 20

Continuous Drain Current

_GSat 5.0 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

0.020

140

E_AS

I_AR

- 5.1

2.5

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 4.5

- 55 to + 150

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

°C

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

for 10 s

260^d

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 6.3 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= - 5.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 6.7 A, dI/dt ≤ 90 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91277

S10-1135-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

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