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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFU9020
SIHFU9020 PDF预览

SIHFU9020

更新时间： 2024-11-21 06:11:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1210K
描述
Power MOSFET

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SIHFU9020 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.15Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.9 A
最大漏极电流 (ID)：9.9 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHFU9020 数据手册

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IRFR9020, IRFU9020, SiHFR9020, SiHFU9020  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Surface Mountable (Order As IRFR9020/SiHFR9020)  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 50  
Available  
• Straight Lead Option (Order As IRFU9020/SiHFU9020)  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.28  
RoHS*  
• Repetitive Avalanche Ratings  
• Dynamic dV/dt Rating  
Qg (Max.) (nC)  
14  
6.5  
6.5  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Simple Drive Requirements  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Lead (Pb)-free Available  
S
DESCRIPTION  
DPAK  
IPAK  
The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s  
advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient  
geometry and unique processing of this latest “State of the  
Art” design achieves: very low on-state resistance combined  
with high transconductance; superior reverse energy and  
diode recovery dV/dt.  
(TO-252)  
(TO-251)  
G
The Power MOSFET transistors also feature all of the well  
established advantages of MOSFET’S such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of the electrical parameters.  
D
P-Channel MOSFET  
Surface mount packages enhance circuit performance by  
reducing stray inductances and capacitance. The TO-252  
surface mount package brings the advantages of Power  
MOSFET’s to high volume applications where PC Board  
surface mounting is desirable. The surface mount option  
IRFR9020/SiHFR9020 is provided on 16mm tape. The  
straight lead option IRFR9020/SiHFR9020 of the device is  
called the IPAK (TO-251).  
They are well suited for applications where limited heat  
dissipation is required such as, computers and peripherals,  
telecommunication equipment, DC/DC converters, and a  
wide range of consumer products.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
DPAK (TO-252)  
IRFR9020PbF  
SiHFR9020-E3  
IRFR9020  
DPAK (TO-252)  
DPAK (TO-252)  
IRFR9020TRLPbFa  
SiHFR9020TL-E3a  
IRFR9020TRLa  
SiHFR9020TLa  
IPAK (TO-251)  
IRFU9020PbF  
SiHFU9020-E3  
IRFU9020  
IRFR9020TRPbFa  
SiHFR9020T-E3a  
IRFR9020TRa  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFR9020  
SiHFR9020Ta  
SiHFU9020  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 50  
20  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
- 9.9  
- 6.3  
- 40  
0.33  
440  
- 9.9  
4.2  
Continuous Drain Current  
V
GS at - 10 V  
ID  
TC =100°C  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
EAR  
mJ  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 90350  
S-Pending-Rev. A, 10-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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