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SIHFSL9N60A-GE3

更新时间： 2024-10-18 18:57:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	196K
描述
TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFSL9N60A-GE3 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.15
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.2 A	最大漏极电流 (ID)：	9.2 A
最大漏源导通电阻：	0.75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFSL9N60A-GE3 数据手册

IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

R_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.75

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dV/dt Ruggedness

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

I²PAK

(TO-262)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptable Power Supply

• High Speed Power Switching

• This Device is only for Through Hole Application

APPLICABLE OFF LINE SMPS TOPOLOGIES

• Active Clamped Forward

N-Channel MOSFET

• Main Switch

ORDERING INFORMATION

Package

I²PAK (TO-262)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFSL9N60A-GE3

IRFSL9N60APbF

SiHFSL9N60A-E3

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

9.2

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

5.8

Pulsed Drain Current^a

I_DM

1.3

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

290

9.2

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

170

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 6.8 mH, R_g= 25 , I_AS= 9.2 A (see fig. 12).

c. I_SD 9.2 A, dI/dt  50 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90362

S11-1045-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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