SIHFU120-E3

更新时间： 2024-11-21 06:11:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1702K
描述
IRFR120

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFU120-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
最大漏极电流 (ID)：	7.7 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFU120-E3 数据手册

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.27

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Surface Mount (IRFR120/SiHFR120)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.4

7.7

• Straight Lead (IRFU120/SiHFU120)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR120PbF

SiHFR120-E3

IRFR120

DPAK (TO-252)

IRFR120TRPbF^a

SiHFR120T-E3^a

IRFR120TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR120TRRPbF^a

SiHFR120TR-E3^a

IRFR120TRR^a

DPAK (TO-252)

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU120PbF

SiHFU120-E3

IRFU120

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR120

SiHFR120T^a

SiHFR120TR^a

SiHFR120TL^a

SiHFU120

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

7.7

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

5.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91266

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SIHFU120-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFU1N60A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU1N60A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU1N60A-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU210	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU210-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU210-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU214	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU214	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU214-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET

与SIHFU120-E3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFU120-E3

SIHFU120-E3 技术参数

SIHFU120-E3 数据手册

与SIHFU120-E3相关器件

与SIHFU120-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFU120-E3

SIHFU120-E3 技术参数

SIHFU120-E3 数据手册

与SIHFU120-E3相关器件

与SIHFU120-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？