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SIHFU320-GE3

更新时间： 2024-10-19 14:44:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1667K
描述
TRANSISTOR 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, IPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFU320-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A	最大漏极电流 (ID)：	3.1 A
最大漏源导通电阻：	1.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFU320-GE3 数据手册

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.8

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR320,SiHFR320)

• Straight Lead (IRFU320,SiHFU320)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.3

Q_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHFR320TRL-GE3^aSiHFR320TR-GE3^a

IRFR320TRLPbF^a

SiHFR320TL-E3^a

IRFR320TRL^a

DPAK (TO-252)

IRFR320TRRPbF^a

SiHFR320TR-E3^a

IRFR320TRR^a

SiHFR320TR^a

IPAK (TO-251)

SiHFU320-GE3

IRFU320PbF

SiHFU320-E3

IRFU320

Lead (Pb)-free and Halogen-free SiHFR320-GE3

IRFR320PbF

Lead (Pb)-free

IRFR320TRPbF^a

SiHFR320T-E3^a

IRFR320TR^a

SiHFR320-E3

IRFR320

SnPb

SiHFR320

SiHFR320TL^a

SiHFR320T^a

SiHFU320

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

3.1

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

2.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

160

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

3.1

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 3.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.1 A, dI/dt ≤ 65 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91273

S10-1135-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

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