是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-251 |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.15 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 86 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.7 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.7 A |
最大漏源导通电阻: | 3.6 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHFU310-E3 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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SIHFU310-E3 | VISHAY |
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SIHFU320 | VISHAY |
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SIHFU320 | KERSEMI |
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SIHFU320-E3 | VISHAY |
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SIHFU320-E3 | KERSEMI |
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SIHFU320-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND R |
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SIHFU420 | KERSEMI |
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SIHFU420 | VISHAY |
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SIHFU420A | VISHAY |
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