Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFI9Z24G-E3

SIHFI9Z24G-E3

更新时间： 2024-10-16 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	1507K
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Power MOSFET

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SIHFI9Z24G-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	最大漏极电流 (ID)：	8.5 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	34 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFI9Z24G-E3 数据手册

IRFI9Z24G, SiHFI9Z24G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Isolated Package

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• P-Channel

• 175 °C Operating Temperature

• Dynamic dV/dt Rating

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.28

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

5.4

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI9Z24GPbF

SiHFI9Z24G-E3

IRFI9Z24G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI9Z24G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 8.5

- 6.0

- 34

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.24

200

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 8.5

3.7

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 4.5

- 55 to + 175

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 3.2 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 8.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 11 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91171

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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SIHFIB5N50L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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SIHFIB5N65A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.1 A, 650 V, 0.93 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
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SIHFIB6N60A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.5 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
SIHFIB7N50A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6.6 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
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