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SIHFIBE30G

更新时间： 2024-12-01 06:11:39
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威世 - VISHAY /
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7页 1412K
描述
Power MOSFET

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SIHFIBE30G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.17
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHFIBE30G 数据手册

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IRFIBE30G, SiHFIBE30G  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Isolated Package  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
800  
Available  
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;  
f = 60 Hz)  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
3.0  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
78  
9.6  
COMPLIANT  
• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm  
• Dynamic dV/dt Rating  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
45  
• Low Thermal Resistance  
Configuration  
Single  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-220 FULLPAK  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The moulding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab and  
external heatsink. The isolation is equivalent to using a 100  
micron mica barrier with standard TO-220 product. The  
FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by  
a single screw fixing.  
S
N-Channel MOSFET  
S
D
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220 FULLPAK  
IRFIBE30GPbF  
SiHFIBE30G-E3  
IRFIBE30G  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFIBE30G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
SYMBOL  
LIMIT  
800  
UNIT  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
2.1  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
1.4  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
8.4  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Avalanche Currenta  
0.28  
240  
W/°C  
mJ  
A
EAS  
IAR  
2.1  
Repetitive Avalanche Energya  
EAR  
3.5  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
35  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
2.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 102 mH, RG = 25 Ω, IAS = 2.1 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 4.1 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ 600 V, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91184  
S-81352-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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