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SIHFIB5N65A-E3

更新时间： 2024-10-16 19:49:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	143K
描述
TRANSISTOR 5.1 A, 650 V, 0.93 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, FULLPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFIB5N65A-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.17
雪崩能效等级（Eas）：	325 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A	最大漏极电流 (ID)：	5.1 A
最大漏源导通电阻：	0.93 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	21 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFIB5N65A-E3 数据手册

IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

650

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.93

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Configuration

Single

APPLICATIONS

TO-220 FULLPAK

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s, f = 60 Hz)

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback

N-Channel MOSFET

• Single Transistor Forward

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFIB5N65APbF

SiHFIB5N65A-E3

IRFIB5N65A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFIB5N65A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

650

Gate-Source Voltage

V_GS

Continuous Drain Current^e

_C= 25 °C

5.1

V_GSat 10 V

I_D

Continuous Drain Current

T_C=100°C

3.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.48

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^d

E_AS

I_AR

325

5.2

E_AR

_C= 25 °C

P_D

dV/dt

T_J, T_stg

2.8

- 55 to + 150

300

V/ns

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 24 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.2 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Drain current limited by maximum junction temperature.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91174

S09-0518-Rev. B, 13-Apr-09

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFIB6N60A	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.5 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, FULLPAK
SIHFIB6N60A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.5 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
SIHFIB7N50A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6.6 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
SIHFIB7N50L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIB7N50L-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIB9N60A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
SIHFIB9N65A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8.5 A, 650 V, 0.93 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
SIHFIBC20G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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