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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 37 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHFIB7N50A-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 6.6 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, |
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| SIHFIB7N50L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFIB7N50L-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFIB9N60A-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, |
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| SIHFIB9N65A-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 8.5 A, 650 V, 0.93 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, |
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| SIHFIBC20G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFIBC20G | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| SIHFIBC20G-E3 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| SIHFIBC20G-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| SIHFIBC30G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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