Datasheet > SIHFIB9N60A-E3

SIHFIB9N60A-E3

更新时间： 2024-10-16 21:17:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	148K
描述
TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, FULLPAK-3, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFIB9N60A-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.2 A	最大漏极电流 (ID)：	9.2 A
最大漏源导通电阻：	0.75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFIB9N60A-E3 数据手册

SiHFIB9N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V) at T_{J max.}

R_DS(on)(Ω)

650

RoHS

V_GS= 10 V

0.75

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

_gd(nC)

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free

TO-220 FULLPAK

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s, f = 60 Hz)

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Forward

• Active Clamped Forward

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

SiHFIB9N60A-E3

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

600

Gate-Source Voltage

V_GS

Continuous Drain Current^e

_C= 25 °C

9.2

V_GSat 10 V

I_D

Continuous Drain Current

T_C=100°C

3.5

Pulsed Drain Current^a

I_DM

0.48

290

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^d

E_AS

I_AR

9.2

E_AR

6.0

_C= 25 °C

P_D

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

- 55 to + 150

300

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 6.8 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 9.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 50 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Drain current limited by maximum junction.

Document Number: 91346

S-82622-Rev. B, 17-Nov-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SIHFIB9N60A-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFIB9N65A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8.5 A, 650 V, 0.93 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
SIHFIBC20G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIBC20G	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFIBC20G-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFIBC20G-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIBC30G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIBC30G-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIBC40G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIBC40G-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIBC40GLC	VISHAY	获取价格	暂无描述

与SIHFIB9N60A-E3相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

8
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

14
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

20
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

18

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFIB9N60A-E3

SIHFIB9N60A-E3 技术参数

SIHFIB9N60A-E3 数据手册

与SIHFIB9N60A-E3相关器件

与SIHFIB9N60A-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFIB9N60A-E3

SIHFIB9N60A-E3 技术参数

SIHFIB9N60A-E3 数据手册

与SIHFIB9N60A-E3相关器件

与SIHFIB9N60A-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？