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SIHFI9Z14G-E3

更新时间： 2024-10-16 06:11:39

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威世 - VISHAY		/
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8页	1525K
描述
Power MOSFET

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SIHFI9Z14G-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.3 A
最大漏极电流 (ID)：	5.3 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	27 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	21 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFI9Z14G-E3 数据手册

IRFI9Z14G, SiHFI9Z14G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Isolated Package

- 60

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

RoHS*

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• P-Channel

• 175 °C Operating Temperature

• Dynamic dV/dt Rating

Q_g(Max.) (nC)

3.8

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

5.1

Configuration

Single

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

TO-220 FULLPAK

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI9Z14GPbF

SiHFI9Z14G-E3

IRFI9Z14G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI9Z14G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 5.3

- 3.8

- 21

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.18

120

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 5.3

2.7

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 4.5

- 55 to + 175

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 5.0 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 5.3 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 6.7 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91170

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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SIHFI9Z34G-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIB11N50A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6.6 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
SIHFIB5N50L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIB5N50L-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFIB5N65A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.1 A, 650 V, 0.93 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
SIHFIB6N60A	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.5 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, FULLPAK
SIHFIB6N60A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.5 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,

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