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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A | 最大漏源导通电阻： | 3.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHFBF30-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFBF30S | VISHAY |
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TRANSISTOR 3.6 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, |
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| SIHFBF30S-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3.6 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, |
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| SIHFBF30S-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.6 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND |
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| SIHFBG20 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFBG20-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| SIHFBG30 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFBG30 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| SIHFBG30-E3 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| SIHFBG30-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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