SIHFD214

更新时间： 2024-10-16 09:25:31

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
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Power MOSFET

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SIHFD214 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.45 A	最大漏极电流 (ID)：	0.45 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFD214 数据手册

IRFD214, SiHFD214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

• End Stackable

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.0

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fast Switching

4.5

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case

style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain servers as a

thermal link to the mounting surface for power dissipation

levels up to 1 W.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD214PbF

SiHFD214-E3

IRFD214

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFD214

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

250

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

0.45

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

0.29

Pulsed Drain Current^a

I_DM

3.6

Linear Derating Factor

0.0083

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

0.45

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

0.10

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

1.0

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 28 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.8 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.7 A, dI/dt ≤ 65 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91130

S-Pending-Rev. A, 29-May-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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