Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SIHFD9210-E3

SIHFD9210-E3

更新时间： 2024-11-27 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
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Power MOSFET

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SIHFD9210-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.4 A	最大漏极电流 (ID)：	0.4 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFD9210-E3 数据手册

IRFD9210, SiHFD9210

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

3.0

RoHS*

• For Automatic Insertion

• End Stackable

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

8.9

2.1

_gs(nC)

_gd(nC)

• P-Channel

3.9

• Fast Switching

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

HEXDIP

DESCRIPTION

The Power MOSFETs technology is the key to Vishay

advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient

geometry and unique processing of the Power MOSFETs

design archieve very low on-state resistance combined with

high transconductance and extreme device ruggedness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case

style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain serves as a thermal

link to the mounting surface for power dissipation levels up to

1 W.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD9210PbF

SiHFD9210-E3

IRFD9210

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFD9210

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 0.40

- 0.25

- 3.2

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.0083

210

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 0.40

0.10

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

1.0

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 123 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 1.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 2.3 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91140

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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