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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.35 A | 最大漏源导通电阻： | 3.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHFD320 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFD320-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFD420 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFD420-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFD9010-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 1100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP, 4 P |
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| SIHFD9014 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFD9014-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| SIHFD9020 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFD9020-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFD9024-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 1.6 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HEXDIP-4, |
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