是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | IN-LINE, R-PDIP-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.17 | 雪崩能效等级(Eas): | 140 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.1 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.1 A |
最大漏源导通电阻: | 0.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.3 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8.8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHFD9014-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD9020 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD9020-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD9024-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 1.6 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HEXDIP-4, | |
SIHFD9110 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD9110-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD9120 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD9120-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD9210 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD9210-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |