是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | IN-LINE, R-PDIP-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.29 |
雪崩能效等级(Eas): | 130 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.7 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDIP-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHFD014-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD020 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD020-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD024 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD024-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD110 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD110-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD113-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 800 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, HVM | |
SIHFD123 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFD123-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |