SIHFD123-E3

更新时间： 2024-11-27 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
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Power MOSFET

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SIHFD123-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.3 A
最大漏极电流 (ID)：	1.3 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFD123-E3 数据手册

IRFD123, SiHFD123

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

• End Stackable

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.27

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

4.4

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

7.7

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case

style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain serves as a thermal

link to the mounting surface for power dissipation levels up to

1 W.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD123PbF

SiHFD123-E3

IRFD123

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFD123

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

1.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

0.94

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.0083

100

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.3

E_AR

0.13

1.3

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 22 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90161

S-Pending-Rev. A, 30-May-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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