SIHFBF20

更新时间： 2024-10-15 06:11:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	985K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFBF20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A
最大漏极电流 (ID)：	1.7 A	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFBF20 数据手册

IRFBF20, SiHFBF20

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

900

Available

• Repetitve Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

8.0

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

4.7

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

TO-220

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBF20PbF

SiHFBF20-E3

IRFBF20

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBF20

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

900

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

1.7

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

6.8

Linear Derating Factor

0.43

180

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.7

E_AR

5.4

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

1.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 117 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.7 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91120

S-81262-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

SIHFBF20 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFBF20PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与SIHFBF20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFBF20-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBF20L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBF20L-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBF20L-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 1.7 A, 900 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND R
SIHFBF20S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBF20S-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBF20STL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBF20STL-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBF20STR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBF20STR-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHFBF20相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

6
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

11
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

20
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

18

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFBF20

SIHFBF20 技术参数

SIHFBF20 数据手册

SIHFBF20 替代型号

与SIHFBF20相关器件

与SIHFBF20相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFBF20

SIHFBF20 技术参数

SIHFBF20 数据手册

SIHFBF20 替代型号

与SIHFBF20相关器件

与SIHFBF20相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？