Datasheet > SIHF9Z14-E3

SIHF9Z14-E3

更新时间： 2024-11-24 20:41:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	129K
描述
TRANSISTOR 6.7 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

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SIHF9Z14-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.7 A
最大漏极电流 (ID)：	6.7 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF9Z14-E3 数据手册

IRF9Z14, SiHF9Z14

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.8

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

5.1

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

TO-220AB

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220AB package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220AB contribute to its

wide acceptance throughout the industry.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220AB

IRF9Z14PbF

SiHF9Z14-E3

IRF9Z14

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF9Z14

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 6.7

- 4.7

- 27

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.29

140

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 6.7

4.3

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

for 10 s

P_D

dV/dt

T_J, T_stg

- 4.5

- 55 to + 175

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 3.6 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= - 6.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 6.7 A, dI/dt ≤ 90 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91088

S11-0513-Rev. B, 21-Mar-11

www.vishay.com

This datasheet is subject to change without notice.

THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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